内蔵SSD 「M.2 2280 NVMe」の検索結果

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WD_Black

M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなし

SANDISK WDS100T2X0E WD Black SN850X NVMe【内蔵SSD 1TB M.2 PCIe Gen 4】

￥18,790 (税込)

■シリーズ：WD_BLACK SN850X ■フォームファクター：M.2 2280 ■インターフェース：PCIe Gen4x4 ■容量：1TB ■ヒートシンク：非搭載 ■Sequential Read：7300 MB/s ■Sequential Write：6600MB/s ■Random Read(MAX)：800K IOPS ■Random Write(MAX)：1100 IOPS ■耐久性：600 TBW ■温度動作時：0～85 ℃ ■温度非動作時：-40～85 ℃ ■本体寸法：80×22×2.38 mm ■重量：7.5g ■対応：RoHS/〇、PSE/対象外、電波法/対象外 ■保証：メーカー保証5年 ■備考：ストレージ容量の単位は、1メガバイト（MB）=100万バイト、1ギガバイト（GB）=10億バイト、1テラバイト（TB）=1兆バイトです。　　　　使用可能な総容量は、動作環境により異なります。　　　　バッファまたはキャッシュの単位は、1メガバイト（MB）=1,048,576バイトです。　　　　転送速度またはインターフェースの単位は、毎秒1メガバイト（MB/s）=毎秒100万バイト、毎秒1メガビット（Mb/s）=毎秒100万ビット、毎秒1ギガビット（Gb/s）=毎秒10億ビットです。

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WD_Blue

SANDISK WDS200T5B0E WD Blue SN5100 NVMe【内蔵SSD 2TB M.2 PCIe Gen 4】

￥26,140 (税込)

容量：2000 GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen4 フラッシュメモリタイプ：QLC 3D CBA NAND タイプ：内蔵 NVMe：○ 厚さ：2.38 mm 読込速度：7100 MB/s 書込速度：6700 MB/s ランダム読込速度：ランダム読み出し最大：1000K IOPS ランダム書込速度：ランダム書き込み最大：1300K IOPS TBW：900 TBW DWPD：0.24

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WD_Black

SANDISK WDS100T1X0M WD Black SN8100 NVMe【内蔵SSD 1TB M.2 PCIe Gen 5】

￥30,540 (税込)

容量：1000 GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen5 タイプ：内蔵 NVMe：○ 読込速度：14900 MB/s 書込速度：11000 MB/s ランダム読込速度：ランダム読み出し最大：1.6M IOPS ランダム書込速度：ランダム書き込み最大：2.4M IOPS TBW：600 TBW DWPD：0.32

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SAMSUNG

Samsung MZ-V9S2T0B-IT 990 EVO Plus NVMe【内蔵SSD 2TB M.2 PCIe Gen 4/5】

￥26,980 (税込)

容量：2000 GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen4/Gen5 フラッシュメモリタイプ：V-NAND TLC タイプ：内蔵 NVMe：○ 厚さ：2.38 mm 読込速度：7250 MB/s 書込速度：6300 MB/s ランダム読込速度：ランダム読み出し：1,000,000 IOPS ランダム書込速度：ランダム書き込み：1,350,000 IOPS MTBF(平均故障間隔)：150万時間 TBW：1200 TBW DWPD：0.32 保証期間：5年限定保証

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SAMSUNG

Samsung MZ-VAP1T0B-IT 9100 PRO NVMe【内蔵SSD 1TB M.2 PCIe Gen 5】

￥26,980 (税込)

容量：1000 GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen5 フラッシュメモリタイプ：V-NAND TLC タイプ：内蔵 NVMe：○ 厚さ：2.38 mm 読込速度：14700 MB/s 書込速度：13300 MB/s ランダム読込速度：ランダム(QD 256 Thread 32)読み出し：1,850,000 IOPS ランダム書込速度：ランダム(QD 256 Thread 32)書き込み：2,600,000 IOPS MTBF(平均故障間隔)：150万時間 TBW：600 TBW DWPD：0.32 保証期間：5年限定保証

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SAMSUNG

Samsung MZ-VAP4T0B-IT 9100 PRO NVMe【内蔵SSD 4TB M.2 PCIe Gen 5】

￥77,980 (税込)

容量：4000 GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen5 フラッシュメモリタイプ：V-NAND TLC タイプ：内蔵 NVMe：○ 厚さ：2.38 mm 読込速度：14800 MB/s 書込速度：13400 MB/s ランダム読込速度：ランダム(QD 256 Thread 32)読み出し：2,200,000 IOPS ランダム書込速度：ランダム(QD 256 Thread 32)書き込み：2,600,000 IOPS MTBF(平均故障間隔)：150万時間 TBW：2400 TBW DWPD：0.32 保証期間：5年限定保証

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SAMSUNG

Samsung MZ-VAP2T0B-IT 9100 PRO NVMe【内蔵SSD 2TB M.2 PCIe Gen 5】

￥41,980 (税込)

容量：2000 GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen5 フラッシュメモリタイプ：V-NAND TLC タイプ：内蔵 NVMe：○ 厚さ：2.38 mm 読込速度：14700 MB/s 書込速度：13400 MB/s ランダム読込速度：ランダム(QD 256 Thread 32)読み出し：1,850,000 IOPS ランダム書込速度：ランダム(QD 256 Thread 32)書き込み：2,600,000 IOPS MTBF(平均故障間隔)：150万時間 TBW：1200 TBW DWPD：0.32 保証期間：5年限定保証

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SAMSUNG

M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなし

Samsung MZ-V9P1T0B-IT 990 PRO NVMe【内蔵SSD 1TB M.2 PCIe Gen 4】

￥19,580 (税込)

容量：1000 GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen4 タイプ：V-NAND TLC 設置タイプ：内蔵 NVMe：○ 厚さ：2.3 mm 読込速度：7450 MB/s 書込速度：6900 MB/s ランダム読込速度：ランダム(QD1 Thread1)読み出し：22,000 IOPS ランダム(QD32 Thread16)読み出し：1,200,000 IOPS ランダム書込速度：ランダム(QD1 Thread1)書き込み：80,000 IOPS ランダム(QD32 Thread16)書き込み：1,550,000 IOPS MTBF(平均故障間隔)：150万時間 TBW：600 TBW DWPD：0.32 保証期間：5年、または600TBW

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BlackFridaySALE-2025-12-07まで

【BlackFriday】Silicon Power PCIe Gen 4x4 UD90 [SP01KGBP44UD9005]

￥8,470 (税込)

BlackFridaySALE対象商品はこちら容量：1000 GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen4 フラッシュメモリタイプ：3D NAND タイプ：内蔵 NVMe：○ 厚さ：3.5 mm 読込速度：5000 MB/s 書込速度：4800 MB/s MTBF(平均故障間隔)：150万時間

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SAMSUNG

M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなし

Samsung MZ-V8P250B/IT 980 PRO NVMe【内蔵SSD 250GB M.2 PCIe Gen 4】

￥10,480 (税込)

■容量：250GB■転送速度（最大）：読み出し 6,400 MB/s、書き込み 2,700 MB/s■インターフェース：PCIe Gen 4.0 x4、NVMe 1.3c■フォームファクタ：M.2 (Type 2280)■ NANDフラッシュ：Samsung V-NAND 3bit MLC (TLC)■コントローラ：Samsung自社製コントローラ■キャッシュメモリ：512MB LPDDR4■TBW：150TB■保証期間：5年間※製品保証は、保証期間もしくはTBW（Total Byte Written=総書き込みバイト数）しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。※製品仕様の詳細はメーカー製品情報ページをご覧ください。

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