M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなし
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M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしcrucial P3 CT1000P3SSD8JP¥12,880 (税込)容量:1000 GB 規格サイズ:M.2 (Type2280) インターフェイス:PCI-Express Gen3 タイプ:Micron 3D NAND 設置タイプ:内蔵 NVMe:○ 読込速度:3500 MB/s 書込速度:3000 MB/s TBW:220 TBW DWPD:0.12 保証期間:5年 または 220 TBW (いずれか早い方)
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M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしcrucial P3 CT4000P3SSD8JP¥45,070 (税込)容量:4000 GB 規格サイズ:M.2 (Type2280) インターフェイス:PCI-Express Gen3 タイプ:Micron 3D NAND 設置タイプ:内蔵 NVMe:○ 読込速度:3500 MB/s 書込速度:3000 MB/s TBW:800 TBW DWPD:0.1 保証期間:5年 または 800 TBW (いずれか早い方)
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SAMSUNGお取り寄せM.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしSamsung 990 PRO MZ-V9P2T0B-IT¥25,980 (税込)容量:2000 GB 規格サイズ:M.2 (Type2280) インターフェイス:PCI-Express Gen4 タイプ:V-NAND TLC 設置タイプ:内蔵 NVMe:○ 厚さ:2.3 mm 読込速度:7450 MB/s 書込速度:6900 MB/s ランダム読込速度:ランダム(QD1 Thread1)読み出し:22,000 IOPS ランダム(QD32 Thread16)読み出し:1,400,000 IOPS ランダム書込速度:ランダム(QD1 Thread1)書き込み:80,000 IOPS ランダム(QD32 Thread16)書き込み:1,550,000 IOPS MTBF(平均故障間隔):150万時間 TBW:1200 TBW DWPD:0.32 保証期間:5年、または600TBW
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M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしWestern Digital ウエスタンデジタル WDS200T3X0E [ WD BLACK M.2 SSD 内蔵 2TB NVMe Pcle Gen4 x4 (読取り最大 5150MB/s 書込み最大 4850MB/s ) ゲーミング PC メーカー保証5年 ] SN770¥27,800 (税込)■シリーズ:WD_BLACK SN770 ■フォームファクター:M.2 2280 ■インターフェース:PCIe Gen4x4 ■容量:2TB ■Sequential Read:5150 MB/s ■Sequential Write:4850MB/s ■Random Read(MAX):650K IOPS ■Random Write(MAX):800K IOPS ■耐久性:1200 TBW ■温度 動作時:0~85 ℃ ■温度 非動作時:-40~85 ℃ ■本体寸法:80×22×2.38 mm ■重量:5.5g ■対応:RoHS/〇、PSE/対象外、電波法/対象外 ■保証:メーカー保証5年 ■備考:ストレージ容量の単位は、1メガバイト(MB)=100万バイト、1ギガバイト(GB)=10億バイト、1テラバイト(TB)=1兆バイトです。 使用可能な総容量は、動作環境により異なります。 バッファまたはキャッシュの単位は、1メガバイト(MB)=1,048,576バイトです。 転送速度またはインターフェースの単位は、毎秒1メガバイト(MB/s)=毎秒100万バイト、毎秒1メガビット(Mb/s)=毎秒100万ビット、毎秒1ギガビット(Gb/s)=毎秒10億ビットです。
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M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしWestern Digital ウエスタンデジタル WDS200T3B0E [ WD Blue M.2 SSD 内蔵 2TB NVMe Pcle Gen4 x4 (読取り最大 4150MB/s 書込み最大 4150MB/s ) ノート PC メーカー保証5年 ] SN580¥27,500 (税込)■シリーズ:WD Blue SN580 ■フォームファクター:M.2 2280 ■インターフェース:PCIe Gen4x4 ■容量:2TB ■Sequential Read:4150 MB/s ■Sequential Write:4150 MB/s ■Random Read(MAX):600K 4KB IOPS ■Random Write(MAX):750K 4KB IOPS ■耐久性:900 TBW ■温度 動作時:0~85 ℃ ■温度 非動作時:-40~85 ℃ ■本体寸法:80×22×2.38 mm ■重量:5.5g ■対応:RoHS/〇、PSE/対象外、電波法/対象外 ■保証:メーカー保証5年 ■備考:ストレージ容量の単位は、1メガバイト(MB)=100万バイト、1ギガバイト(GB)=10億バイト、1テラバイト(TB)=1兆バイトです。 使用可能な総容量は、動作環境により異なります。 バッファまたはキャッシュの単位は、1メガバイト(MB)=1,048,576バイトです。 転送速度またはインターフェースの単位は、毎秒1メガバイト(MB/s)=毎秒100万バイト、毎秒1メガビット(Mb/s)=毎秒100万ビット、毎秒1ギガビット(Gb/s)=毎秒10億ビットです。
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SAMSUNGお取り寄せM.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしSamsung 990 PRO MZ-V9P1T0B-IT¥22,000 (税込)容量:1000 GB 規格サイズ:M.2 (Type2280) インターフェイス:PCI-Express Gen4 タイプ:V-NAND TLC 設置タイプ:内蔵 NVMe:○ 厚さ:2.3 mm 読込速度:7450 MB/s 書込速度:6900 MB/s ランダム読込速度:ランダム(QD1 Thread1)読み出し:22,000 IOPS ランダム(QD32 Thread16)読み出し:1,200,000 IOPS ランダム書込速度:ランダム(QD1 Thread1)書き込み:80,000 IOPS ランダム(QD32 Thread16)書き込み:1,550,000 IOPS MTBF(平均故障間隔):150万時間 TBW:600 TBW DWPD:0.32 保証期間:5年、または600TBW
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M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしWestern Digital ウエスタンデジタル WDS100T2X0E [ WD BLACK M.2 SSD 内蔵 1TB NVMe PCIe Gen4 x4 (読取り最大 7300MB/s 書込み最大 6300MB/s) ゲーミング PC メーカー保証5年 ] SN850X¥17,260 (税込)■シリーズ:WD_BLACK SN850X ■フォームファクター:M.2 2280 ■インターフェース:PCIe Gen4x4 ■容量:1TB ■ヒートシンク:非搭載 ■Sequential Read:7300 MB/s ■Sequential Write:6600MB/s ■Random Read(MAX):800K IOPS ■Random Write(MAX):1100 IOPS ■耐久性:600 TBW ■温度 動作時:0~85 ℃ ■温度 非動作時:-40~85 ℃ ■本体寸法:80×22×2.38 mm ■重量:7.5g ■対応:RoHS/〇、PSE/対象外、電波法/対象外 ■保証:メーカー保証5年 ■備考:ストレージ容量の単位は、1メガバイト(MB)=100万バイト、1ギガバイト(GB)=10億バイト、1テラバイト(TB)=1兆バイトです。 使用可能な総容量は、動作環境により異なります。 バッファまたはキャッシュの単位は、1メガバイト(MB)=1,048,576バイトです。 転送速度またはインターフェースの単位は、毎秒1メガバイト(MB/s)=毎秒100万バイト、毎秒1メガビット(Mb/s)=毎秒100万ビット、毎秒1ギガビット(Gb/s)=毎秒10億ビットです。
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M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしWestern Digital ウエスタンデジタル WDS400T2X0E [ WD BLACK M.2 SSD 内蔵 4TB NVMe PCIe Gen4 x4 (読取り最大 7300MB/s 書込み最大 6600MB/s) ゲーミング PC メーカー保証5年 ] SN850X¥69,800 (税込)■シリーズ:WD_BLACK SN850X ■フォームファクター:M.2 2280 ■インターフェース:PCIe Gen4x4 ■容量:4TB ■ヒートシンク:非搭載 ■Sequential Read:7300 MB/s ■Sequential Write:6600MB/s ■Random Read(MAX):1200K IOPS ■Random Write(MAX):1100K IOPS ■耐久性:2400 TBW ■温度 動作時:0~85 ℃ ■温度 非動作時:-40~85 ℃ ■本体寸法:80×22×2.38 mm ■重量:7.5g ■対応:RoHS/〇、PSE/対象外、電波法/対象外 ■保証:メーカー保証5年 ■備考:ストレージ容量の単位は、1メガバイト(MB)=100万バイト、1ギガバイト(GB)=10億バイト、1テラバイト(TB)=1兆バイトです。 使用可能な総容量は、動作環境により異なります。 バッファまたはキャッシュの単位は、1メガバイト(MB)=1,048,576バイトです。 転送速度またはインターフェースの単位は、毎秒1メガバイト(MB/s)=毎秒100万バイト、毎秒1メガビット(Mb/s)=毎秒100万ビット、毎秒1ギガビット(Gb/s)=毎秒10億ビットです。
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M.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしWestern Digital ウエスタンデジタル WDS100T3B0E [ WD Blue M.2 SSD 内蔵 1TB NVMe Pcle Gen4 x4 (読取り最大 4150MB/s 書込み最大 4150MB/s ) ノート PC メーカー保証5年 ] SN580¥12,980 (税込)■シリーズ:WD Blue SN580 ■フォームファクター:M.2 2280 ■インターフェース:PCIe Gen4x4 ■容量:1TB ■Sequential Read:4150 MB/s ■Sequential Write:4150 MB/s ■Random Read(MAX):600K 4KB IOPS ■Random Write(MAX):750K 4KB IOPS ■耐久性:600 TBW ■温度 動作時:0~85 ℃ ■温度 非動作時:-40~85 ℃ ■本体寸法:80×22×2.38 mm ■重量:5.5g ■対応:RoHS/〇、PSE/対象外、電波法/対象外 ■保証:メーカー保証5年 ■備考:ストレージ容量の単位は、1メガバイト(MB)=100万バイト、1ギガバイト(GB)=10億バイト、1テラバイト(TB)=1兆バイトです。 使用可能な総容量は、動作環境により異なります。 バッファまたはキャッシュの単位は、1メガバイト(MB)=1,048,576バイトです。 転送速度またはインターフェースの単位は、毎秒1メガバイト(MB/s)=毎秒100万バイト、毎秒1メガビット(Mb/s)=毎秒100万ビット、毎秒1ギガビット(Gb/s)=毎秒10億ビットです。
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SAMSUNGM.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしSamsung 980 MZ-V8V500B/IT [内蔵SSD]¥11,000 (税込)■容量:500GB
■転送速度(最大):読み出し 3,100 MB/s、書き込み 2,600 MB/s
■インターフェース:PCIe Gen 3.0 x4、NVMe 1.4
■フォームファクタ:M.2 (Type 2280)
■ NANDフラッシュ:Samsung V-NAND 3bit MLC (TLC)
■コントローラ:Samsung自社製コントローラ
■TBW:300TB
■保証期間:5年間
※製品保証は、保証期間もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。
※製品仕様の詳細はメーカー製品情報ページをご覧ください。 -
SAMSUNGお取り寄せM.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしSAMSUNG 980 MZ-V8V1T0B/IT [内蔵SSD]¥16,500 (税込)■容量:1TB ■転送速度(最大):読み出し 3,500 MB/s、書き込み 3,000 MB/s ■インターフェース:PCIe Gen 3.0 x4、NVMe 1.4 ■フォームファクタ:M.2 (Type 2280) ■ NANDフラッシュ:Samsung V-NAND 3bit MLC (TLC) ■コントローラ:Samsung自社製コントローラ ■TBW:600TB ■保証期間:5年間 ※製品保証は、保証期間もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。 ※製品仕様の詳細はメーカー製品情報ページをご覧ください。
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SAMSUNGM.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしSAMSUNG 980 PRO MZ-V8P1T0B/IT [内蔵SSD]¥14,840 (税込)■容量:1TB
■転送速度(最大):読み出し 7,000 MB/s、書き込み 5,000 MB/s
■インターフェース:PCIe Gen 4.0 x4、NVMe 1.3c
■フォームファクタ:M.2 (Type 2280)
■ NANDフラッシュ:Samsung V-NAND 3bit MLC (TLC)
■コントローラ:Samsung自社製コントローラ
■キャッシュメモリ:1GB LPDDR4
■TBW:600TB
■保証期間:5年間
※製品保証は、保証期間もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。
※製品仕様の詳細はメーカー製品情報ページをご覧ください。 -
SAMSUNGM.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしSamsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0B/IT [内蔵SSD]¥9,680 (税込)■容量:1TB
■転送速度(最大):読み出し 3,500MB/s、書き込み 3,300MB/s
■インターフェース:PCIe Gen 3.0×4、NVMe 1.3
■フォームファクタ:M.2 (Type 2280)
■ NANDフラッシュ:Samsung V-NAND 3bit MLC (TLC)
■コントローラ:Samsung自社製コントローラ
■キャッシュメモリ:1GB LPDDR4
■TBW:600TB
■保証期間:5年間
※製品保証は、保証期間もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。
※製品仕様の詳細はメーカー製品情報ページをご覧ください。 -
SAMSUNGM.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしSamsung 980 PRO MZ-V8P500B/IT [内蔵SSD]¥8,980 (税込)■容量:500GB
■転送速度(最大):読み出し 6,900 MB/s、書き込み 5,000 MB/s
■インターフェース:PCIe Gen 4.0 x4、NVMe 1.3c
■フォームファクタ:M.2 (Type 2280)
■ NANDフラッシュ:Samsung V-NAND 3bit MLC (TLC)
■コントローラ:Samsung自社製コントローラ
■キャッシュメモリ:512MB LPDDR4
■TBW:300TB
■保証期間:5年間
※製品保証は、保証期間もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。
※製品仕様の詳細はメーカー製品情報ページをご覧ください。 -
SAMSUNGM.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしSamsung 970 EVO Plus MZ-V7S500B/IT [内蔵SSD]¥5,980 (税込)■容量:500GB
■転送速度(最大):読み出し 3,500MB/s、書き込み 3,200MB/s
■インターフェース:PCIe Gen 3.0×4、NVMe 1.3
■フォームファクタ:M.2 (Type 2280)
■ NANDフラッシュ:Samsung V-NAND 3bit MLC (TLC)
■コントローラ:Samsung自社製コントローラ
■キャッシュメモリ:512MB LPDDR4
■TBW:300TB
■保証期間:5年間
※製品保証は、保証期間もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。
※製品仕様の詳細はメーカー製品情報ページをご覧ください。 -
SAMSUNGM.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしSamsung 970 EVO Plus MZ-V7S250B/IT [内蔵SSD]¥5,480 (税込)■容量:250GB ■転送速度(最大):読み出し 3,500MB/s、書き込み 2,300MB/s ■インターフェース:PCIe Gen 3.0×4、NVMe 1.3 ■フォームファクタ:M.2 (Type 2280) ■ NANDフラッシュ:Samsung V-NAND 3bit MLC (TLC) ■コントローラ:Samsung自社製コントローラ ■キャッシュメモリ:512MB LPDDR4 ■TBW:150TB ■保証期間:5年間 ※製品保証は、保証期間もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。 ※製品仕様の詳細はメーカー製品情報ページをご覧ください。
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SAMSUNGM.2 2280 NVMeSSD-ヒートシンクなしSamsung 980 PRO MZ-V8P250B/IT [内蔵SSD]¥9,980 (税込)■容量:250GB
■転送速度(最大):読み出し 6,400 MB/s、書き込み 2,700 MB/s
■インターフェース:PCIe Gen 4.0 x4、NVMe 1.3c
■フォームファクタ:M.2 (Type 2280)
■ NANDフラッシュ:Samsung V-NAND 3bit MLC (TLC)
■コントローラ:Samsung自社製コントローラ
■キャッシュメモリ:512MB LPDDR4
■TBW:150TB
■保証期間:5年間
※製品保証は、保証期間もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。
※製品仕様の詳細はメーカー製品情報ページをご覧ください。
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